千兆网口电路设计要点
PHY 侧接口
四对 MDI 均用于双向收发。采用片内已集成端接的电压型 PHY，数据线上不重复添加 49.9Ω 端接，PHY 侧中心抽头不接外部偏置电源。
四路中心抽头
CT_A-CT_D 各自通过 C1-C4（100nF）接 GND；电容靠近对应网变引脚。四个 CT 彼此不直接短接，也不将 CT 直接接地。
千兆网变与线对
T1 内含四路 1:1 隔离变压器 + CMC，构成 TD 结构。A/B/C/D 依次接RJ45 的 1/2、3/6、4/5、7/8；四对均为数据对。
共模端接与屏蔽
四路线缆侧 CT 各经 R1-R4（75Ω）汇入 BS，再经 C5（1nF / 2kV）接SHIELD。电阻、电容为板上外置器件；RJ45 金属壳接同一 SHIELD。
适用范围
非 PoE；适用于片内端接、CT 经电容接地的架构。GND 与 SHIELD 分网，整机关联另行设计；PHY 的供电、时钟、复位及 MAC 接口按具体选型补齐。
千兆网口电路原理图怎么读
- 适用：片内端接、CT 电容接地的电压型架构。
- CT_A-CT_D 各经 C1-C4 接 GND，彼此不短接。
- 四对线均为数据对；RJ45 4/5、7/8 不短接。
- R1-R4、C5 为板上外置 Bob Smith 器件。
- GND 与 SHIELD 分网；功能名不代表封装脚号。
- 圆点 = 连接；跨线弧 = 不连接；绕组点 = 同名端。
- MDI 接口参考电路：功能端名按所选 PHY、网变和 RJ45 的实际封装脚号映射。
相关沃虎器件（选型参考）
以上料号为本参考设计 PDF“产品图示”所列的沃虎器件，用于选型参考；最终型号须按 PHY 原厂资料与电路参数逐项复核。
器件设计理由与技术依据
| 器件 / 参数 | 数量与位置 | 设计理由 | 依据与页码 |
|---|---|---|---|
| U1 / 电压型 PHY | 1个 | 限定为 MDI 片内端接、PHY 侧 CT 采用电容接地的千兆器件。因此数据线上不重复加 49.9Ω，并且不向 CT 外加电源；不是所有电压型 PHY 的无条件通用接法。 | E1 p114-115；E2 p3-4；E4 p3 |
| C1-C4 / 100nF | 4 颗，T1 外 | 依次连接 CT_A/CT_B/CT_C/CT_D 与 GND，给各对共模信号提供交流回路，并阻断该支路直流。四个 CT 彼此独立；电容各自紧靠对应引脚，不合并为一颗。 | E1 p115 图9-2；E2 p4 §4.2 |
| T1A-T1D / 1:1 | 4 路，T1 内 | 四路隔离变压器分别传输 A/B/C/D 差分信号。PHY 侧 CT 只经各自电容接地；线缆侧 CT 各自引出至 75Ω。电感、插损、回损、串扰及绝缘规格按选定 PHY 核定。 | E1 p115-116；E3 p5 图3 |
| CMC_A-CMC_D | 4 路，T1 内 | 每路双绕组共模扼流圈串在线缆侧两条数据线上，用于抑制共模干扰。与隔离变压器组成 TD，不含自耦绕组；Bob Smith 从变压器线缆侧 CT 引出。 | E3 p4-5，图3 |
| R1-R4 / 75Ω | 4 颗，T1 外 | 分别接四路线缆侧 CT 与公共 BS。先各经一颗 75Ω 再汇合，形成共模端接；不把四个 CT 直接并在一起。75Ω 用于共模端接，不串入差分数据主通道。 | E1 p115 图9-2；E2 p4 §4.2 |
| C5 / 1nF，2kV | 1 颗，T1 外 | BS 经 C5 交流耦合到 SHIELD，同时隔断直流。数值取自原厂示例；2kV 标注须落实为具体器件额定值，并校核整机绝缘试验，不能直接等同于 2kVac 或浪涌等级。 | E1 p115 图9-2；E2 p4 §4.2 |
| J1 / 分立 RJ45 | 1 个，不含磁件 | A→1/2，B→3/6，C→4/5，D→7/8，正负极性逐对一致。1000BASE-T 四对都传数据，因此 4/5、7/8 均不短接；金属屏蔽壳直接接 SHIELD。 | E1 p115 图9-2；E2 p4 图4-1 |
| GND / SHIELD | 两个网络 | C1-C4 接 PHY 电路地 GND；C5 另一端与 RJ45 壳体接 SHIELD。整机是否采用耦合器件、如何连接机壳或 PE，需结合产品结构、EMC 和绝缘要求确定。 | E1 p115 注D；E2 p4、§8.2 |
原厂资料与采用范围
- E1 · Texas Instruments DP83867IR/CR，SNLS484J，2026-06 修订。p114-116、图9-2：片内端接、四路独立 0.1µF、线对映射及 75Ω + 1nF/2kV。
- E2 · Microchip KSZ9131MNX Hardware Design Checklist，DS00003371A，2020。p3-4，§4.1/4.2、图4-1：无外部端接/偏置、独立 CT 电容与公共 Bob Smith 电容。
- E3 · Microchip / Microsemi ENT-AN0098 / VPPD-01740，Rev.2.2，2018-06。正文 p4-5、图3（PDF p6-7）：隔离变压器 + 线缆侧双绕组 CMC，以及线缆 CT 端接位置。
- E4 · 裕太微 / Motorcomm《YT8511 的应用说明》V1.2，p3“MDI 接口”。原厂署名资料的公开转载：用于交叉核对电压型输出、片内端接及 100nF 接地；选型时应向原厂核对现行版本。
使用边界
本方案为非 PoE 的 MDI 接口参考。具体 PHY、网变及端口防护选定后，还需复核数值、封装脚号和整机接地，并完成链路、MDI、EMC 与绝缘测试。图文核查不能代替硬件验证。落板要求：四对MDI按100Ω差分阻抗布线，控制对内偏差与支路长度；CT电容就近接GND。保持磁性隔离区，电源/地铜处理按PHY与网变原厂布局规则。Bob Smith仅为共模端接，不承担ESD或浪涌钳位功能。
千兆网口电路常见问题
千兆网口 RJ45 引脚怎么对应？4/5、7/8 能像百兆那样短接吗？
不能。1000BASE-T 四对都传数据，A→1/2、B→3/6、C→4/5、D→7/8，正负极性逐对一致，4/5、7/8 均不短接。Bob Smith 共模端接改为从 T1 四路线缆侧 CT 各经一颗 75Ω 引出，再汇入公共 BS。
四个中心抽头能并在一起共用一颗电容吗？
不能。CT_A-CT_D 各自通过 C1-C4（100nF）接 GND，四个 CT 彼此不直接短接，也不将 CT 直接接地；每颗电容紧靠对应网变引脚，不合并为一颗。线缆侧同理，四个 CT 先各经 75Ω 再汇合，不直接并在一起。
电压型千兆 PHY 还要加 49.9Ω 端接或给中心抽头供电吗？
本设计不加。前提是 PHY 为 MDI 片内端接、PHY 侧 CT 采用电容接地的千兆器件，因此数据线上不重复加 49.9Ω，也不向 CT 外加电源。这不是所有电压型 PHY 的无条件通用接法，需按选定 PHY 资料核实。
Bob Smith 电容标 1nF/2kV，选料时怎么理解这个 2kV？
1nF/2kV 取自原厂示例，C5 把 BS 交流耦合到 SHIELD 并隔断直流。2kV 须落实为具体器件的额定值，并校核整机绝缘试验，不能直接等同于 2kVac 或浪涌等级；Bob Smith 仅为共模端接，不承担 ESD 或浪涌钳位功能。
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《1000BASE-T 网络接口 & 千兆网络变压器 & 电压型 PHY》 · D1.0 · 3 页
