百兆网口电路设计要点
适用范围
非 PoE、分立 RJ45＋外置百兆网变。采用片内 MDI 端接且允许两路 CT分别经电容接地的电压型 PHY。
PHY 侧连接
MDI0±、MDI1±分别接 T1A、T1B；数据线不重复外加49.9Ω。CT_A、CT_B 各经 C1、C2（100nF）接 GND。两路 CT 保持独立，不接偏置电源。电容紧靠对应 CT。
网变与线缆连接
T1 为两路 1:1 隔离变压器＋线缆侧 CMC的 TD 结构。A±接 RJ45 1/2，B±接3/6；收发角色按 PHY 的 MDI/MDI-X 配置确定。
Bob Smith 与屏蔽
两路线缆侧 CT 分别经 R1、R2 接 BS；4/5、7/8各自并组后，经 R3、R4接 BS。R1-R4 均为75Ω；BS 经 C3（1nF，额定耐压≥2kV）接 SHIELD，金属壳直接接同一 SHIELD。
实现边界
R1-R4、C3 均为板上外置器件。GND 与 SHIELD 分网，整机关联另行设计。PHY 供电、时钟、复位、MAC 及 LED 外围按实际器件补齐，功能端名与触点号须映射到实际焊脚。
百兆网口电路原理图怎么读
- 功能端名不代表封装脚号；RJ45 数字为线缆触点。
- 实心点表示连接，绕组旁点为同名端，跨线弧表示不连接。
相关沃虎器件（选型参考）
以上料号为本参考设计 PDF“产品图示”所列的沃虎器件，用于选型参考；最终型号须按 PHY 原厂资料与电路参数逐项复核。
器件设计理由与技术依据
| 器件 / 参数 | 数量与位置 | 设计理由 | 依据与页码 |
|---|---|---|---|
| U1 / 电压型 PHY | 1个 | 采用片内 MDI 端接、PHY 侧 CT 经电容接地的百兆架构；因此不再外加49.9Ω或CT偏置电源。仅凭“电压型”名称不能判定全部外围接法。 | E1 p42；E2 p1 |
| C1、C2 / 100nF | 2 颗，T1 外 | 分别接 CT_A、CT_B 与 GND，为共模分量提供交流旁路并隔断直流。两路CT独立，各用一颗电容，紧靠对应引脚；实际耐压、介质与封装按工作条件选定。 | 连接：E1 p42-43；靠近CT：E3 p4 |
| T1A、T1B / 1:1 | 2 路，T1 内 | 隔离耦合两对差分信号。两侧均带中心抽头；选型须满足目标PHY的电感、插损、回损、共模和绝缘要求。图示TD由隔离变压器与CMC组成，不含自耦级。 | E1 p42-43、表28；E3 p4图2 |
| CMC_A、CMC_B | 2 路，T1 内 | 双绕组共模扼流圈串在线缆侧数据通路，用于衰减共模干扰。两绕组及同名端保持配对，差分通道分别贯通；不能把两条数据线短接。 | E1 p42；E3 p4、p7 |
| R1-R4 / 75Ω | 4 颗，T1 外 | R1/R2分别接两路线缆侧CT；R3/R4分别接4/5、7/8线对。各先串75Ω再汇入BS。±1%作为本版选型建议；这些电阻用于共模端接，不是PHY侧差分端接。 | E3 p4图2、p6 §2.3；精度为工程建议 |
| C3 / 1nF，≥2kV | 1 颗，T1 外 | BS经C3接SHIELD，提供高频共模回路并隔断直流。额定耐压依据原厂建议。具体器件须校核AC/DC额定值、试验条件与绝缘认证；该耐压不代表系统浪涌等级。 | E3 p6 §2.3 |
| J1 / 分立 RJ45 | 1个 | A±→1/2，B±→3/6；4/5同组，7/8同组，各经一个75Ω接BS，仅适用于本版非PoE百兆用途。RJ45触点号须按实际连接器映射到焊脚；金属壳接SHIELD。 | E3 p4、p6-7；映射按本图 |
| GND / SHIELD | 两个网络 | GND连接PHY侧电容；SHIELD连接Bob Smith电容及金属壳。图中不添加GND与SHIELD的固定RC网络；与机壳/PE的关系及耦合位置按整机结构、绝缘和EMC设计。 | E3 p7 §2.4；耦合方案待整机确定 |
原厂资料与采用范围
- E1 · Analog Devices ADIN1200 数据手册，Rev.B，2024-05。p24，表18；p42-43，Magnetics、图38、表28；p86-87，PCB Layout。采用MDI映射、片内端接及独立100nF接地。图38含自耦级，本图选用两级TD磁件。
- E2 · Texas Instruments DP83825I 数据手册，SNLS638C，2026-04。p1、p86-87 §8.4：百兆电压型驱动、片内MDI端接和100Ω差分布线。其电源及封装参数不用于通用主图。
- E3 · Texas Instruments AN-1469，SNLA079D，2013-04。p4 图2、p6 §2.3、p7 §2.4。仅采用隔离后的线缆侧端接与屏蔽原则；1nF/≥2kV取自p6正文，图2另画1500pF。PHY侧供电和49.9Ω不采用。
使用边界
本文是MDI接口参考电路，不包含完整PHY外围或防护认证结论。参考电路用于设计选型；最终连接、器件规格与整机性能按实际选型及验证结果确定。资料核对与图文检查完成后供选型审阅；尚未进行样机、EDA ERC或系统认证试验。落板要求：两对MDI按100Ω差分阻抗布线，短而对称，减少支路与换层；PHY侧保持连续参考平面，隔离区域的铜皮与间距另行核定。
百兆网口电路常见问题
电压型 PHY 的网络变压器中心抽头要不要接 3.3V？
本设计不接。CT_A、CT_B 各经一颗 100nF 电容接 GND，两路 CT 保持独立，不接偏置电源。前提是 PHY 采用片内 MDI 端接且允许 CT 经电容接地；仅凭“电压型”名称不能判定全部外围接法，需按选定 PHY 的资料核实。
百兆网口 RJ45 没用的引脚（4/5、7/8）怎么处理？
4/5、7/8 各自并组后，分别经 R3、R4（75Ω）接 BS；两路线缆侧 CT 也分别经 R1、R2（75Ω）接 BS，BS 再经 C3（1nF，额定耐压≥2kV）接 SHIELD。这一接法仅适用于本版非 PoE 百兆用途，触点号须按实际连接器映射到焊脚。
数据线上还要再加 49.9Ω 端接电阻吗？75Ω 是干什么的？
不用再加。本设计 PHY 采用片内 MDI 端接，数据线不重复外加 49.9Ω。R1-R4 的 75Ω 属于 Bob Smith 共模端接，位于网变线缆侧、汇入 BS，不是 PHY 侧差分端接；±1% 精度为本版选型建议。
网变里的 TD 结构是什么，选型要核对哪些参数？
TD 指两路 1:1 隔离变压器加线缆侧双绕组共模扼流圈（CMC），图示不含自耦级。选型须满足目标 PHY 的电感、插损、回损、共模和绝缘要求，并核对完整脚号、内部 CT/CMC 结构及 10M 模式规格，再完成链路、回损与 EMC 验证。
C3 标了 1nF/≥2kV，是不是就代表网口能扛 2kV 浪涌？
不是。≥2kV 额定耐压依据 TI AN-1469 正文建议，用于 BS 到 SHIELD 的高频共模回路并隔断直流；具体器件须校核 AC/DC 额定值、试验条件与绝缘认证，该耐压不代表系统浪涌等级，本文也不包含防护认证结论。
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《10/100BASE-T 网络接口 & 百兆网络变压器 & 电压型 PHY》 · D1.0 · 3 页
